以硅二极管为例，反向电流都是微安级的，而其死区电流大约0.1毫安级，故死区电流至少是反向饱和电流的10倍以上。当然随着反向电压的提高，其反向饱和电流也是在急剧增加的（在30μA），而其死区电压在0.25-0.4v时，电流已经上升到0.05-0.1mA左右，甚至更高。
现在二极管的反向饱和电流已大nA级。应该比死区电流小。
